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為什么說充電樁產(chǎn)業(yè)迎來黃金發(fā)展期??

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2023.02.02

根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示,2022年全年國內(nèi)新能源汽車呈現(xiàn)持續(xù)快速增長,產(chǎn)銷達到705.8 萬/688.7萬量,同比增長96.9%/93.4%,市場占有率達到25.6%。

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中汽協(xié)預(yù)計2023年我國新能源汽車銷量將達 900萬輛,同比增長35% 。

充電樁是新能源車領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)改W披露,截至2021年底,全國充電設(shè)施規(guī)模達到 261.7萬臺,換電站1298 座,服務(wù)近800萬輛新能源汽車,國家和地方已積出臺一系列產(chǎn)業(yè)鼓勵政策,將切實推動充電樁的高效建設(shè)和合理布局。

據(jù)發(fā)改W《關(guān)于進一步提升電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)保障能力的實施意見》,到“十四五”末,我國電動汽車充電保障能力將進一步提升,形成適度超前、布局均衡、智能高效的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系,能夠滿足超過2000萬輛電動汽車充電需求。

新能源車銷量持續(xù)增長,充電樁面臨較大缺口以及充電速度的改善。

大功率快充未來已來

目前國內(nèi)常見的普通快充設(shè)備充電時間仍需要 40min左右,而慢充則需要8h左右,新

能源車廠商紛紛布局充電更快的大功率充電方案。

2021年9月,比亞迪發(fā)布e平臺 3.0,有 800V閃充功能,實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航150公里;

2021年11月,小鵬汽車在2021廣州車展展示的G9車型成為國內(nèi)首款基于800V高壓 SiC 平臺的量產(chǎn)車,充電5分鐘可補充續(xù)航 200 公里;

理想汽車將同步研發(fā)Whale以及Shark平臺 800V高壓架構(gòu)車型,并配備400kW大功率充電樁,計劃于2023年以后每年至少推出兩款高壓純電動汽車,實現(xiàn)充電10分鐘續(xù)航400公里。

高壓平臺快充方案對于充電樁所采用的功率器件的耐壓性、轉(zhuǎn)換效率、導(dǎo)通損耗等性能要求更高。

充電模塊

充電模塊是充電樁的核心部件,技術(shù)迭代進入快車道。

充電包括直流充電和交流充電。

交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓整流,幾乎不 涉及功率器件。

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直流充電樁:其結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,包括充電模塊、主控制器、絕緣檢測模塊、通信模塊、主繼 電器等部分,其中充電模塊又稱功率模塊,是充電樁行業(yè)具有技術(shù)門檻的核心部件,約占據(jù) 充電樁總成本的 50%;

核心功能是將電網(wǎng)中的交流電轉(zhuǎn)化為可直接向電池充電的直流電,組 成部分包括半導(dǎo)體功率器件、集成電路、磁性元件、PCB、電容、機箱風(fēng)扇等,半導(dǎo)體功率器 件成本占充電模塊總成本的 30%,是充電模塊的關(guān)鍵組成部分。

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功率器件

充電模塊作為充電樁的核心部件,其核心功能的實現(xiàn)主要依托于功率半導(dǎo)體器件發(fā)揮整流、 穩(wěn)壓、開關(guān)、變頻等作用,隨著用戶更加追求充電系統(tǒng)的小型化、高效化,功率器件作為充 電樁的核心器件,也面臨著不斷優(yōu)化和升級。

目前國內(nèi)充電樁所采用的功率器件主要是硅基MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管) 和 IGBT。

IGBT是由 BJT(雙型三管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式 功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。

不過又出現(xiàn)新的技術(shù)碳化硅器件,相比IGBT,碳化硅器件不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制即能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低阻抗,開關(guān)速度更快。

據(jù)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟,與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅模塊可以幫助充電樁提升近30%的輸出功率、 減少50%左右的損耗,并增強充電樁的穩(wěn)定性。

英飛凌、安森美、羅姆、三安光電、華潤微、泰科天潤等功率半導(dǎo)體龍頭廠商均已推出可用 于充電樁領(lǐng)域的碳化硅芯片或器件。

現(xiàn)階段碳化硅模塊在充電樁市場當(dāng)中滲透率較低。

相比純碳化硅方案,目前硅基IGBT+碳化硅SBD混合方案應(yīng)用更為廣泛。

未來隨著全球碳化硅襯底產(chǎn)能的逐步釋放、工藝控制改善下良率的不斷提升以及技術(shù)方案的不斷成熟,碳化硅器件的價格有望呈現(xiàn)下降趨勢,其充電樁市場的應(yīng)用有望得到進一步推廣。




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